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Si7460DP
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
0.8
0.4
0.0
- 0.4
- 0.8
- 1.2
I D = 250 μ A
100
80
60
40
20
0
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
0.01
0.1
1
10
100
T J - Temperature (°C)
Threshold Voltage
Time (s)
Single Pulse Power, Junction-to-Ambient
100
10
Limited by R DS(on) *
I DM
Limited
P(t) = 0.001
P(t) = 0.01
I D(on)
1
Limited
P(t) = 0.1
P(t) = 1
0.1
T A = 25 °C
Single Pulse
P(t) = 10
DC
BV DSS Limited
0.01
0.1
1
10
100
V DS - Drain-to-Source Voltage (V)
Safe Operating Area
2
1
Duty Cycle = 0.5
0.2
Notes:
0.1
0.1
0.05
P DM
t 1
t 2
0.01
0.02
Single Pulse
t 1
1. Duty Cycle, D =
t 2
2. Per Unit Base = R thJA = 52 °C/W
3. T JM - T A = P DM Z thJA(t)
4. Surface Mounted
10 - 4
10 - 3
10 - 2
10 - 1
1
10
100
600
Square Wave Pulse Duration (s)
Normalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-Ambient
www.vishay.com
4
Document Number: 72126
S09-0227-Rev. D, 09-Feb-09
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